ในงานอีเวนท์ Foundry Forum (SFF) ครั้งที่ 5 ที่จัดขึ้นในปีนี้ทาง Samsung ได้ออกมาเผยแผนการดำเนินงานของการผลิตชิบขนาด 3 นาโนเมตรและ 2 นาโนเมตร ที่จะผลิตโครงสร้างของทรานซิสเตอร์แบบ Gate-All- Around (GAA) นอกจากนี้ทางบริษัทได้เผยว่าชิบขนาด 3 นาโนเมตรจะเริ่มทำการผลิตในช่วงครึ่งแรกของปี 2022 ในขณะที่ชิบขนาด 2 นาโนเมตรจะถูกผลิตในปี 2025
Samsung จะผลิตชิบ 3 นาโนเมตรโดยใช้ทั้งกระบวนการ GAA และ MBCFET ทำให้ประหยัดพื้นที่ได้ 35% มีประสิทธิภาพสูงขึ้น 30% และใช้พลังงานน้อยลง 50% เมื่อเทียบกับชิบขนาด 5 นาโนเมตร
โรงงานของ Samsung จะทำการผลิตชิบขนาด 3 นาโนเมตรในปีหน้า และทางบริษัทอาจผลิตชิบขนาด 3 นาโนเมตรรุ่นที่ 2 ในปี 2023
ในส่วนของชิบขนาด 2 นาโนเมตร Samsung กำลังอยู่ในช่วงเริ่มต้นของการพัฒนากระบวนการผลิตโดยใช้เทคโนโลยี MBCFET และจะถูกผลิตในเชิงอุตสาหกรรมในปี 2025 ซึ่งผู้บริโภคจะสามารถใช้อุปกรณ์ที่มีชิบขนาด 2 นาโนเมตรได้ในปี 2026 เลยทีเดียว
