Qualcomm เตรียมเปิดตัวชิบประมวลผลเรือธงรุ่นใหม่ในวันที่ 30 พฤศจิกายนนี้ โดยนอกจากมีข่าวลือเผยมาว่าชิบดังกล่าวจะใช้ชื่อว่า Snapdragon 8 Gen 1 ก็ได้มีข้อมูลเผยลงบน Weibo ระบุว่าชิบรุ่นใหม่ดังกล่าวจะรองรับการชาร์จเร็วสูงถึง 150W แต่จะถูกนำมาใช้จริงในภายหลัง เพราะชิบในล็อตแรกยังไม่สามารถรองรับการชาร์จเร็วดังกล่าวได้
ในปัจจุบันสมาร์ตโฟนของ Xiaomi และ Motorola (ผ่านทางแบรนด์แม่อย่าง Lenovo) นั้นรองรับการชาร์จค่อนข้างเร็วอยู่แล้วโดยใช้ชิบเรือธงของ Snapdragon ไม่ว่าจะเป็นสมาร์ตโฟน Mi 10 Ultra ที่รองรับชาร์จเร็ว 120W และ Legion 2 Pro รองรับชาร์จเร็ว 90W ซึ่งทั้งสองแบรนด์จะเปิดตัวสมาร์ตโฟนเรือธงของตนเองภายในสิ้นปีนี้ ทำให้ทั้งสองแบรนด์จะยังไม่พัฒนาระบบชาร์จเร็วที่พัฒนาขึ้นมากนัก
นอกจากนั้นข่าวลือยังได้ระบุว่าชิบรุ่นใหม่ของ Qualcomm จะรองรับการชาร์จเร็ว 150W ล็อตสองที่จะถูกจัดส่งในช่วงสิ้นปี 2021 ทำให้อุปกรณ์ที่จะรองรับชาร์จเร็ว 150W จะถูกเปิดตัวอย่างเร็วก็ในไตรมาสแรกของปีหน้า อย่างไรก็ดีการชาร์จเร็วขนาดดังกล่าวทำให้สามารถชาร์จแบตสมาร์ตโฟนจนเต็มได้ในเวลาเพียง 10 นาที
มาตรฐานการชาร์จเร็วในปัจจุบันยังอยู่ที่ Quick Charge 5 ที่สามารถชาร์จแบตจาก 0 – 50% ได้ในเวลา 5 นาที ด้วยเทคโนโลยี Dual Charge ที่ประกอบด้วย voltage จำนวน 12 ตัว และมีการควบคุมกระแสไฟฟ้าและอุณหภูมิเพื่อให้ประสิทธิภาพคงที่ จึงอาจคาดการณ์ได้ว่าชิบ Snapdragon 8 Gen 1 จะมีการอัพเกรดเทคโนโลยีการชาร์จขึ้นเพื่อให้รองรับการชาร์จ 150W
